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IT之家 10 月 30 日音信，分析机构 TrendForce 集邦筹算示意东流影院，三大 HBM 内存巨头在对堆叠高度鸿沟、I/O 密度、散热等条目的考量下，已细目于 HBM5 20hi（IT之家注：即 20 层堆叠）世代使用羼杂键合 Hybrid Bonding 时代。

该机构以为，在 HBM4、HBM4e 两代产物上 SK 海力士、三星电子、好意思光三家企业均会推出 12hi、16hi 版块以安静对不同容量的需求，其中 12hi 产物将不时使用现存的微凸块键合时代，16hi 产物时代阶梯尚未细目。

此外翌日 AI GPU 将与 HBM5 内存以 3D 堆叠而非现存 2.5D 的体式集成。

▲ 图源 TrendForce 集邦筹算东流影院

机构示意，无凸块的羼杂键合时代可容纳较多堆叠层数，也能容纳较厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题，能普及芯片传输速率，散热施展也更为优异，但还需克服微粒鸿沟等时代问题。

在 HBM4(e)16hi 产物上是否经受羼杂键合是一个两难问题：提前导入羼杂键合虽然可赶早阅历新堆叠时代的学习弧线，确保HBM5 20Hi 胜利量产，但也意味着迥殊的建造投资，此前在微凸块键合上积存的时代上风也将部分归天。

羼杂键合需以 WoW（晶圆对晶圆）形态堆叠，不仅对前端出产良率提议了更高条目，也意味着第一层（亦然每一层）DRAM 芯片的尺寸需与底部 Base Die 交流。

而 HBM 内存的 Base Die 正走向外部化、定制化，台积电等同期具备先进 Base Die 出产与 WoW 堆叠才智的企业有望更深过程参与 HBM 出产，从而改革 HBM + 先进封装链条的买卖形态。